Причем транзюк надо выбрать чтобы грелся как можно меньше, какой тут посоветуете?
Думал в свое время над этим купил вот такой http://html.alldatasheet.com/html-pdf/84688/IRF/IRL2505/46/1/IRL2505.html
открывается логическим уровнем 5В малое сопротивление канала, на нем много не мощности не просядет?
Немного теории про потери в транзисторах, поскольку такой вопрос возникает уже не в первый раз.
Потери складываются из двух частей: статические (когда транзистор открыт) и динамические (пока транзистор открывается и закрывается).
1. Биполярник (составной транзистор) или IGBT
1.1. Статические потери определяются напряжением насыщения на КЭ-переходе.
Pст=Uкэ
нас*I.
Uкэ
нас лежит в диапазоне от 1,7В (маломощные биполярники и медленные IGBT) до >2В (мощный биполярник и быстрый IGBT).
Так что потери соответствующе немалые.
1.2. Динамические потери
1.2.1. Открытие - нужно зарядить емкость базы (входная емкость) + ограниченная скорость основных носителей заряда ("дырки").
В составниках на скорость включения мы можем повлиять слабо, IGBT и так быстро включаются.
1.2.2. Закрытие - нужно разрядить выходную и входную емкости.
Выходная емкость разряжается быстро большим коллекторным током, а вот со входной беда. Выключаются они все относительно медленно... Порядка >1мкс для среднего транзистора.
Итого: статические и динамические потери не малые.
Преимущества
- составной транзистор включается малым током, порядка <5мА.
2. MOSFET
2.1. Статические потери определяются сопротивлением канала в открытом состоянии.
Pст=Rds
on2*I.
Сопротивление канала довольно мало - десятки, сотни мОм.
Поэтому для небольших мощностей потери малые.
2.2. Динамические потери имеют куда больший (по крайней мере сравнимый) порядок со статическими.
Транзистор будет включаться по мере заряда проходной емкости затвора. Время включения напрямую зависит от тока, загоняемого в затвор транзистора.
Возьмем для примера вышеуказанный IRL2505 (довольно дорогой к слову). В описании нам дано, что емкость затвора Сз=5000 пФ и начинает включаться при напряжении 2В и включается полностью при 4,5В на затворе.
Рассмотрим более подробно схему в приложении.
Имеем источник постоянного управляющего напряжения и токоограничивающий резистор.
Напряжение на кондере будет меняться следующим образом: Uc(t)=U(1-e
-t/T), где Т=R*Cз.
Для частоты 60кГц период равен 16,7мкс, поэтому время полного включения транзистора необходимо иметь максимум хотя бы 0,5мкс.
Определим сопротивление R, при котором достигнем такого показателя.
Логарифмируем и получим что ln([U-Uc]/U) = -t/T.
Выразим R = t / [C*ln(U/(U-Uc))].
Согласно описанию на транзистор, Uc=4,5В
Получим R = 43 Ом. Или импульс тока Imax = 5 / 43 = 116мА.
На запас нужно поднять еще до 250мА (на паразитные индуктивности и емкости).
Такой ток МК не выдаст ни разу. Вот и ставят драйвера, которые выдают соответствующий ток.
Включается и выключается транзистор одинаковыми токами и по одинаковому принципу - напряжение на затворе.
Основные носители электроны, поэтому скорость включения не ограничена физически.
Надеюсь, теперь будем ориентироваться в расчете потерь.
Для себя, честно, ни разу не считал потери. Всегда использовал мощный драйвер на 1..2А затворного тока и проверенный транзистор.
Например, как здесь, стоит
IRFZ44, у которого напряжение открывания 10В (как раз для аккума), сопротивление в открытом состоянии 12мОм, емкость затвора Сз=1700 пФ. Он распространен и стоит не дорого.